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| 专利名称 | 半导体结构的形成方法 |
| 申请日 | 2019-02-01 |
| 申请号/专利号 | CN201910103536.9 |
| 专利权人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人/设计人 | 蔡柏豪;翁得期;庄博尧;郑心圃;周孟纬;林孟良 |
| 公告日 | 2020-01-07 |
| 公告号 | CN110660680A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。
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