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| 专利名称 | 一种双极集成电路的隔离结构及隔离结构的形成方法 |
| 申请日 | 2019-01-31 |
| 申请号/专利号 | CN201910100043.X |
| 专利权人 | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 申请人 | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 发明人/设计人 | 黄平 |
| 公告日 | 2019-06-18 |
| 公告号 | CN109904109A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
本发明公开了一种双极集成电路的隔离结构，其包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料。所述环氧树脂隔离材料可以为光敏环氧树脂隔离材料或非光敏环氧树脂隔离材料。本发明还公开了该双极集成电路的隔离结构的形成方法。采用本发明的技术方案后，极大地缩小集成电路所占用的晶圆面积。
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