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专利名称根据PVT操作条件的变化优化电路性能的芯片设计方法
申请日2019-01-30
申请号/专利号CN201910088801.0
专利权人三星电子株式会社
申请人三星电子株式会社
发明人/设计人金智娟;黄殷珠
公告日2019-08-16
公告号CN110134979A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

提供了一种设计具有集成电路的芯片的方法。该方法包括:获得关于形成集成电路的多个单元和多个连线的根据工艺、电压和温度(PVT)端角变化的增量单元延迟和增量连线延迟;通过使用增量单元延迟和增量连线延迟,分析关于根据集成电路中的多个路径的PVT端角变化的延迟的灵敏度;基于分析的结果确定所述多个路径当中的N个灵敏度关键路径,其中N是大于或等于0的整数;以及基于确定的结果执行工程变更命令(ECO)。
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