本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法，其中包括，于腔体内无晶圆的情况下，采用一反应气体于一预设流量、一预设压力及一预设功率下，对腔体进行处理，并保持一预设时间后结束。本发明的技术方案有益效果在于：有效处理反应腔中因聚合物累积过多而不能被及时处理掉产生的问题，从而避免由于聚合物导致工艺中的产品缺陷的问题，避免侧墙工艺中小尺寸残留缺陷，提高了产品良率。