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专利名称散热集成的电路芯片及其制作方法
申请日2019-01-28
申请号/专利号CN201910079338.3
专利权人南通大学;成都芯锐科技有限公司
申请人南通大学;成都芯锐科技有限公司
发明人/设计人孙海燕;葛明敏;赵继聪;黄静;孙玲;方家恩;彭一弘
公告日2019-04-23
公告号CN109671685A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供散热集成的电路芯片,包括SOI片,SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅,SOI片纵向设置多个垂直通孔,垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅,各垂直通孔内均设置导电导热柱,导电导热柱底端裸露于底层硅下表面,垂直通孔内侧壁设置电学隔离层,至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部,电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路,至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本发明具有优异的散热性能,可与各种集成电路整合。另一方面,本发明还提供了上述芯片的制作方法。
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