本实用新型提供散热集成的电路芯片，包括SOI片，SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅，SOI片纵向设置多个垂直通孔，垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅，各垂直通孔内均设置导电导热柱，导电导热柱底端裸露于底层硅下表面，垂直通孔内侧壁设置电学隔离层，至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部，电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路，至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本实用新型具有优异的散热性能，可与各种集成电路整合。另一方面，本实用新型还提供了上述芯片的制作方法。