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专利名称单个高能粒子离化电荷测试电路
申请日2019-01-25
申请号/专利号CN201910071020.0
专利权人中国科学院微电子研究所
申请人中国科学院微电子研究所
发明人/设计人闫薇薇;曾传滨;高林春;李晓静;倪涛;李多力;罗家俊;韩郑生
公告日2019-06-21
公告号CN109917269A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种单个高能粒子离化电荷测试电路,包括M个高能粒子捕获模块和M个信号探测模块,所述M个高能粒子捕获模块和所述M个信号探测模块一一对应,M为不小于2的正整数;所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管,所述场效应晶体管用于捕获高能粒子,并在捕获到高能粒子时产生流过自身的瞬态电流信号,N为正整数;所述信号探测模块用于探测对应的高能粒子捕获模块产生的瞬态电流信号,并在探测到所述瞬态电流信号时输出测试信号。本发明提供的单个高能粒子离化电荷测试电路,能够测试高能粒子离化电荷云半径及影响范围,为抗辐射加固集成电路的版图拓扑结构设计提供理论指导,提高集成电路的抗辐射能力。
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