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专利名称一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途
申请日2019-01-24
申请号/专利号CN201910068247.X
专利权人复旦大学
申请人复旦大学
发明人/设计人丁士进;朱宝;丁子君;刘文军;张卫
公告日2019-04-12
公告号CN109609927A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途,该方法包含至少一个反应循环,每个反应循环包含以下步骤:S1,向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽,使其与反应腔中的衬底表面充分反应;S2,向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗;S3,向反应腔中通入NH3等离子体,使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应;S4,向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净,获得碳氮掺杂的金属钴薄膜;其中,碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控,与集成电路制造工艺兼容性好,生长温度低,生长温度区间大,电阻率低,表面均匀平整。
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