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专利名称一种基于超快激光刻蚀的LTCC基板制作方法
申请日2019-01-23
申请号/专利号CN201910065071.2
专利权人西安微电子技术研究所
申请人西安微电子技术研究所
发明人/设计人陈宁;肖刚;于慧游;王博哲
公告日2019-06-18
公告号CN109905970A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明属于半导体混合集成电路技术领域,涉及一种基于超快激光刻蚀的LTCC基板制作方法,基于传统的LTCC基板丝网印刷工艺,在生瓷片完成导体布线印刷后,对其进行第一次超快激光刻蚀;在LTCC基板烧结完成后,对烧结后的熟瓷片的导体布线进行第二次超快激光刻蚀;第一次超快激光刻蚀有导体布线宽度精度刻蚀、厚度精度刻蚀以及通孔填充精度刻蚀三种方式,可按照实际要求选择进行。本发明基于LTCC基板丝网印刷工艺,通过加入两次超快激光刻蚀,提高了导体阻抗加工精度,使刻蚀后的导体布线达到精度要求。
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