封装的光电传感器IC通过以下制备：制造具有多个键合焊盘的集成电路(IC)；从IC背面穿过半导体形成通孔以暴露第一金属层；在通孔中沉积导电金属塞；沉积互连金属；在互连金属和穿过其的开口上沉积焊料掩膜介质；在互连金属上在焊料掩膜介质中的开口处形成焊料凸点；和将焊料凸点键合至封装的导体。光电传感器IC具有衬底；由形成在衬底的第一表面上的介质层隔开的多个金属层，在衬底中形成有晶体管；由多个金属层的至少第一金属层形成的多个键合焊盘结构；穿过半导体衬底的第二表面上的介质形成的具有金属塞的通孔，介质上的形成连接图形的互连金属，和联接至各个导电塞和焊料凸点的互连层的图形。