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专利名称配置为表现绝缘体上半导体行为的块状半导体衬底
申请日2019-01-18
申请号/专利号CN201910049742.6
专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
申请人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人/设计人古尔巴格·辛格;庄坤苍;陈信吉
公告日2020-01-03
公告号CN110649036A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本文公开了配置为表现出绝缘体上半导体(SOI)行为的块状半导体衬底,以及相应的制造方法。被配置为表现出SOI行为的示例性块状衬底包括限定块状衬底的沟道区域的第一隔离沟槽和限定包括沟道区域的有源区域的第二隔离沟槽。第一隔离沟槽包括第一隔离沟槽部分和设置在第一隔离沟槽部分上方的第二隔离沟槽部分。第一隔离材料填充第一隔离沟槽部分,并且外延材料填充第二隔离沟槽部分。外延材料设置在第一隔离材料上。第二隔离材料填充第二隔离沟槽。在第一隔离沟槽和沟道区域下面的块状衬底的一部分被配置为具有比块状衬底更高的电阻。本发明实施例涉及配置为表现绝缘体上半导体行为的块状半导体衬底。
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