本申请涉及半导体集成电路系统。一种具有在基板上形成的层结构的半导体集成电路系统，该层结构包括多个金属层和夹在相邻的金属层之间的通孔层，通过层远离基板限定向上的方向，其中：电容器由在以向上的方向排序的至少第一金属层、第二金属层和第三金属层中实现的金属结构形成；该金属结构包括具有与层平行的宽度的条带的布置；形成在第一金属层中的条带被组织成至少一个第一梳状布置，该条带的宽度在低宽度范围内；形成在第二金属层中的条带被组织成具有基带和从基带延伸的多个指状条的至少一个第二梳状布置，指状条的宽度在低宽度范围内，并且每个基带的宽度在中间宽度范围内；以及形成在第三金属层中的条带具有在高宽度范围内的宽度。