本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于a‑IGZO薄膜的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上自下而上依次为ITO底栅、二氧化铪HfO2栅介质膜和a‑IGZO薄膜，ITO底栅引出底栅电极，在顶部设置有源、漏电极，源、漏电极分别与HfO2栅介质膜和a‑IGZO薄膜联通。本发明主要应用于柔性晶体管设计制造场合。