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专利名称一种半周期电容比例可编程带隙基准电路
申请日2019-01-14
申请号/专利号CN201920058153.X
专利权人南开大学
申请人南开大学
发明人/设计人耿卫东;刘远泽;张蕴千;刘艳艳;曾广鹏;陈志博
公告日2019-07-30
公告号CN209182729U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

一种半周期电容比例可编程带隙基准电路,属于集成电路设计领域。所述的半周期电容比例可编程带隙基准电路,可以减少功耗,降低噪声,使电路的应用范围更广。由启动电路、结电压生成电路、采样保持电路和时钟生成电路组成,采样保持电路采用可编程电容比例电路,半周期工作机制,由非对称两相不交叠时钟控制,对结电压生成电路输出的晶体管发射结电压进行乘法与加法运算,输出可编程基准电压。本实用新型提供的电路能够在外部信号控制下,输出不同的基准源电压,可应用于各种模拟集成电路、数模混合集成电路和集成系统。
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