本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。