本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：第一鳍分离绝缘部分，在基板的第一器件区域之上；一对第一鳍型有源区，彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸；第一虚设栅极结构，与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠；第二鳍分离绝缘部分，与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上；以及多个第二鳍型有源区，在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸，其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。