本发明公开一种评估射频功率LDMOS器件散热特性的方法，包括以下步骤：通过传输线脉冲测试装置对待测LDMOS器件进行测试得到IV测试曲线；对所述IV测试曲线中的上升段部分进行线性拟合得到所述待测LDMOS器件的寄生电阻值；通过所述待测LDMOS器件的寄生电阻值得到所述待测LDMOS器件的寄生电阻变化因子；将所述寄生电阻变化因子与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述待测LDMOS器件的散热特性。本发明提高了评估待测LDMOS器件散热特性的便捷性以及简洁性。