本公开的实施例涉及集成填料电容器单元器件以及对应的制造方法。半导体区域包括：隔离区域，该隔离区域界定出半导体区域的工作区。沟槽位于工作区中并且进一步延伸到隔离区域中。沟槽被通过隔离围闭件与工作区绝缘的导电中心部填充。覆盖区域被定位成至少覆盖已填充沟槽的第一部分，其中第一部分位于工作区中。介电层与已填充沟槽接触。金属硅化物层至少位于在已填充沟槽的第二部分的导电中心部上，其中第二部分未被覆盖区域覆盖。