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专利名称集成电路
申请日2019-01-07
申请号/专利号CN201920019488.0
专利权人意法半导体(鲁塞)公司
申请人意法半导体(鲁塞)公司
发明人/设计人A·马扎基;A·雷尼耶;S·尼埃尔
公告日2019-09-03
公告号CN209344075U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本实用新型的实施例涉及集成电路。半导体区域包括:隔离区域,该隔离区域界定出半导体区域的工作区。沟槽位于工作区中并且进一步延伸到隔离区域中。沟槽被通过隔离围闭件与工作区绝缘的导电中心部填充。覆盖区域被定位成至少覆盖已填充沟槽的第一部分,其中第一部分位于工作区中。介电层与已填充沟槽接触。金属硅化物层至少位于在已填充沟槽的第二部分的导电中心部上,其中第二部分未被覆盖区域覆盖。
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