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专利名称一种识别老化回收集成电路的片上检测系统及测试方法
申请日2019-01-03
申请号/专利号CN201910004583.8
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人王晓晓;汝松昊
公告日2019-05-07
公告号CN109725248A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开一种识别老化回收集成电路的片上检测系统及测试方法,该系统包括目标检测寄存器、外围电路、时延校准模块、时钟路径和关键路径几个部分;该方法包括:步骤一:配置目标检测寄存器;步骤二:对时延校准模块内的校准路径进行校准;步骤三:校准结果作为测试数据向量输出;步骤四:根据理论模型求解老化时间;步骤五:片外测试流程。本发明优点在于:面积和功耗开销较小;容易部署在大规模的集成电路上,用作片上测试结构;识别老化回收集成电路的经历的老化时间误差很小,不超过30天;时延校准模块的测试精度非常高,能够达到15ps;能够检测芯片在当前老化状态下的工作性能。
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