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专利名称垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器
申请日2019-01-02
申请号/专利号CN201910000898.5
专利权人北京工业大学
申请人北京工业大学
发明人/设计人李冲;黎奔;鲍凯;秦世宏;赵艳军
公告日2019-05-10
公告号CN109742175A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域,针对空间通信领域,特别是波分复用光电探测器的低成本,低功耗,强抗辐射能力,易于封装和形成线阵和面阵结构,能和微电子集成电路大面积单片集成的需求。本发明结构:p型掺杂插指区,n型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域,之间的间隙是本征吸收区;二维耦合光栅区是在吸收材料区两侧电极中间部分在紫外光刻后采用干法刻蚀技术,在入射平面上与掺杂区条平行和垂直两个方向上周期不同的二维光栅结构;控制两个维度光栅的周期和刻蚀深度使得满足布拉格衍射条件,将垂直入射的光转变为水平方向。
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