本发明涉及一种增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法包括首先采用含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体进行半导体器件表面处理，然后进行光刻工艺，其中，采用含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体进行半导体器件表面处理时，表面处理时间为5S～120S，含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体的等离子体温度为100℃～1000℃，以解决光阻(PR)底部缺角(Undercut)问题，增强离子注入光刻工艺窗口，优化器件性能。