本申请公开了一种干法刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。本发明的方法能把晶圆表面和晶圆背面的Si‑O‑Cl聚合物同时去除干净，并保证晶圆背面干净无Si‑O‑Cl颗粒。