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专利名称一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片
申请日2018-12-29
申请号/专利号CN201811644062.0
专利权人成都海光集成电路设计有限公司
申请人成都海光集成电路设计有限公司
发明人/设计人姚其爽
公告日2019-05-24
公告号CN109801656A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请提供一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片,存储器电路包括:存储阵列;与存储阵列连接的负电压写辅助电路,用于根据负电压写使能信号的状态,调整向位线对施加的负电压的工作状态;与负电压写辅助电路连接,向负电压写辅助电路传输负电压写使能信号的负电压写使能信号自适应控制电路;负电压写使能信号自适应控制电路包括:复制存储阵列,复制存储阵列为存储阵列的复制结构;负电压写辅助电路用于,检测复制存储阵列的写数据情况,根据检测的写数据情况,调整负电压写使能信号的状态,以通过不同状态的负电压写使能信号,控制负电压写辅助电路调整负电压的工作状态。本申请可提升存储器写成功率,并降低存储器的功耗开销。
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