本申请公开了一种MEMS器件。该制MEMS器件包括：半导体衬底；空腔，位于半导体衬底中；结构层，在空腔上方；至少一个感应电阻，位于结构层中；以及第二开口，经由结构层到达空腔，其中，结构层与第二开口相邻的部分形成质量块，结构层分别与半导体衬底以及质量块相连的部分形成悬臂，感应电阻位于悬臂中。本申请通过半导体衬底中的空腔上方的结构层形成了质量块和悬臂，从而形成了可动结构，并通过在悬臂中形成感应电阻，以感应悬臂因质量块的活动产生的变化，可以用于制造加速度传感器。