本发明提供一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，在氧化膜侧壁上形成氮化膜侧墙；将光刻胶覆盖氮化膜掩膜层和氧化膜上表面；利用N型、P型多晶硅栅极的高度差，使N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上氧化膜表面仍被光刻胶覆盖；将N型多晶硅栅极上的氧化膜以及氧化膜掩膜层去除至露出氮化膜掩膜层；P型多晶硅栅极上的氧化膜仍被光刻胶覆盖；光刻胶剥离后去除氮化掩膜层和氮化膜侧墙。由于N型多晶硅栅极氧化掩膜层已经被单独刻蚀，所以DHF刻蚀时间可以大大缩短，P型多晶硅氧化膜不会过度消耗，有利于保护P型多晶硅栅极，同时可以增加磷酸刻蚀时间，避免N型氮化掩膜层残留。