本发明提供一种改善接触孔工艺热点的OPC修正方法，包括：主图形和副图形的接触孔图形，二者经常规OPC修正后，被掩膜版最小尺寸规则限制；主图形与副图形的一对边相平行且二者投影部分重叠。对副图形中与主图形相互平行且靠近主图形的一条边作向其内部的分段收缩，对主图形作常规的OPC修正后得到掩模板图形；并对其进行光刻仿真验证。本发明在不增加光学模型复杂度的基础上，通过对接触孔图形工艺热点的筛选和再次进行OPC修正，使原本会受掩模板最小尺寸规格限制的接触孔图形能进行常规的OPC修正。使其最终在硅片上的光刻结果符合目标值，减少图形缺陷，避免接触孔电阻过高，保证了器件的性能。