本申请公开了一种透射电子显微镜样品，所述样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层、无掺杂硅酸盐玻璃层、电子束保护层以及离子束保护层；所述无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层具有第二厚度，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度，所述第一厚度、第二厚度与第三厚度的数值各不相同。本申请还公开了一种透射电子显微镜样品的制造方法。使用本发明方法制得的透射电子显微镜样品，可以通透射电子显微镜图像的观察，直接获取不同生长方式生长出来的二氧化硅薄膜的厚度信息。