本发提供一种基于绝缘体上硅工艺的相变存储器结构，属于半导体技术领域，包括：绝缘体层；沉积衬底；阱区；多个存储器单元，形成在n型阱区上并构成存储器单元阵列，位于同一行的多个存储器单元之间由浅沟槽隔离，位于相邻两行的多个存储器单元之间由深沟槽隔离；存储器单元由位于上方的存储部分和位于下方的选通部分构成，选通部分包括由上至下依次连接的顶部电极、覆盖层、相变材料、电热电极以及接触孔，存储部分为PN结结构；多个字线，连接同一行的存储器单元；多个位线，连接同一列的存储器单元。本发明的有益效果：减少基于绝缘体上硅工艺的相变存储器结构工艺步骤和复杂度。