本发明公开了用于改善存储器阵列(诸如静态随机存取存储器阵列)的性能的鳍基阱带。一种示例性集成电路(IC)器件包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的FinFET。FinFET包括具有掺杂有第一类型掺杂剂并具有第一宽度的第一鳍和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件。IC器件还包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的鳍基阱带。鳍基阱带将掺杂区连接至电压。鳍基阱带包括掺杂有第一类型掺杂剂并具有第二宽度的第二鳍和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件。第二宽度大于第一宽度。例如，第二宽度与第一宽度的比率大于约1.1且小于约1.5。本发明的实施例还提供了集成电路器件及其制造方法。