本发明属于半导体及集成电路领域，具体公开了一种含立方烷的丙烯酸酯系成膜树脂和ArF光刻胶及其制备方法和光刻方法。所述ArF光刻胶含有成膜树脂以及光致产酸剂，所述成膜树脂由质量分数为20‑60％的具有式(1)所示结构的单元单体Ⅰ和质量分数为40‑80％的具有式(2)所示结构的单元单体Ⅱ共聚得到，R1和R1各自独立地为氢原子或甲基，R2为酸敏基团。本发明提供的光刻胶具有较好的耐刻蚀性，在光刻过程中无需采用硬掩模层，采用新的光刻工艺来替代硬掩模工艺，不仅能够省去硬掩模层，而且还能够达到与原工艺相当甚至更好的耐刻蚀性能。此外，本发明提供的光刻工艺只需要使用后续光刻的旋转匀胶机，不需要CVD机台，而达到降低材料成本和生产时间的目的。