本发明公开了一种SOC芯片测试优选方法，该方法包括的步骤为：将SOC芯片原先用于MBIST的内嵌SRAM模块剥离出来单独设计，并按照SOC芯片制程标准流片，制备成工程wafer；对所述工程wafer进行CP，收集并分析相关测试数据；若分析结果合格，按工程分析得到的制程标准对整个SOC芯片流片试量产并跳过CP直接封装。本发明通过跳过SOC芯片CP阶段，单独制备SRAM工程分析wafer，对该wafer进行缺陷的定位分析，实质是测试数据的转换，精准找到物性地址后确认工艺缺陷，通过调整修正制程参数以消除，整个过程中有效的节省了制造成本以及提升了工作效率。