本发明提供一种大尺寸晶片的加工方法。本发明由氧化铝抛光液取代二氧化硅抛光液，由贴蜡抛取代吸附垫抛。本发明采用氧化铝抛光液磨料粒径300‑750nm，PH值13‑13.5；传统工艺采用氧化硅抛光液粒径80‑120nm，PH值10.5，在相同工艺条件下，氧化铝抛光液移除速率达到8‑10um/h，氧化硅抛光液移除速率3‑4um/h，效率提升约3倍。单片用量氧化铝抛光液4寸晶片约4g/pcs，氧化硅抛光液270g/pcs，成本节约50％。吸附垫抛光由于受材料绒布压缩比影响，产品面型难以控制，利用贴蜡抛，晶片蜡层后均匀且平整，在化抛过程中不易受到外力影响，加工后晶片厚度差在≤5μm，LTV＆lt;1.5μm。