含静电放电保护电路的半导体集成电路器件及其制造方法。一种半导体集成电路器件可以包括半导体基板、有源阱、发射极、基极、集电极、主体接触区域和阻挡阱。半导体基板可以具有第一导电类型。有源阱可以形成在半导体基板中。有源阱可以具有第二导电类型。发射极和基极可以形成在有源阱中。集电极可以在有源阱外形成在半导体基板中。主体接触区域可以形成在半导体基板中，以将集电极和半导体基板电连接。主体接触区域的导电类型可以与集电极的导电类型基本相同。阻挡阱可以被构造为围绕主体接触区域的外壁。阻挡阱可以具有第二导电类型。