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专利名称一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法
申请日2018-12-27
申请号/专利号CN201811607497.8
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人胡伟玲;聂钰节
公告日2019-04-05
公告号CN109585276A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法,包括:刻蚀腔体和设于其内部用于固定晶圆的静电吸盘;对静电吸盘定期保养时针对静电吸盘进行多次顺时针擦拭使其表面平整;使刻蚀腔体在其内壁涂SiCl4时,挡片能够更紧密地贴合于静电吸盘,避免SiCl4更多的粘在静电吸盘上,从而污染晶圆背面;对刻蚀后的晶圆背面进行清洗,去掉其背面的聚合物,避免在晶圆进入酸槽进行湿法刻蚀时聚合物被洗入酸槽,在晶圆正面形成棍状缺陷的现象,有效提高半导了体产品的良率。
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