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专利名称共源共栅电流偏置结构及电流偏置电路和SUB-BGR
申请日2018-12-27
申请号/专利号CN201811607531.1
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人张宁;朱轩历
公告日2019-05-07
公告号CN109725675A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种共源共栅电流偏置结构,包括:第一MOS和第二MOS第一端相连作为该电流偏置结构第一端,第一MOS第二端连接第四MOS第一端,第二MOS作为该电流偏置结构第二端,第三MOS第二端、第六MOS第二端、第三MOS第三端、第四MOS第三端相连作为该电流偏置结构第三端,第四MOS第二端、第五MOS第二端、第五MOS第三端和第六MOS第三端相连,第五MOS第一端、第七MOS第一端、第七MOS第三端和第八MOS第三端作为该电流偏置结构第四端,第六MOS第一端连接第八MOS第二端,第八MOS第一端连接第九MOS第二端,第七MOS第一端和第九MOS第一端相连作为该电流偏置结构第五端,第九MOS作为第三端该电流偏置结构第五端。本发明还公开了一种电流偏置电路和SUB‑BGR。
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