本实用新型公开了一种图形化复合衬底，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有光栅结构阵列、交错排列的沟道和覆盖在光栅结构阵列表面的薄膜层，光栅结构覆盖在整个蓝宝石衬底表面，光栅结构为向上凸起形成，沟道区在蓝宝石衬底表面朝向该蓝宝石内部凹陷形成，交错排列的沟道区将蓝宝石表面分割成若干个独立的子区域，光栅结构阵列的材质和沟道区填充物材质均为阻挡外延生长的介质层，覆盖在光栅结构阵列表面的薄膜层材质为氮化铝单晶。本实用新型不需要进行激光切割，就能实现LED芯片的分离，有效地避免了LED芯片光电性能损伤问题，改善了芯片的出光效率，并提高制程良率，降低生产成本。