本发明公开了一种半导体器件隔离侧墙制造方法，包括：制作半导体隔离侧墙spacer，制作牺牲层覆盖隔离侧墙spacer，进行第一次牺牲层刻蚀去除部分牺牲层，进行隔离侧墙刻蚀形成设计形貌的隔离侧墙spacer，进行第二次牺牲层刻蚀去除全部牺牲层。本发明在器件隔离侧墙制造完成后通过刻蚀使隔离侧墙形成方形形貌能避免非对称形貌隔离侧墙对下层layer刻蚀的影响，提高器件的均一性,提高器件性能。