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专利名称一种提升栅氧厚度均匀性的方法
申请日2018-12-27
申请号/专利号CN201811607230.9
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人沈耀庭;成鑫华;姜兰
公告日2019-04-30
公告号CN109698141A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种提升栅氧厚度均匀性的方法,包括:提供一晶圆,晶圆上分布有多个栅氧膜量测位置;以晶圆的圆心为极点建立极坐标系,将晶圆表面划分为多个区域,每个区域对应极坐标的一个半径值;每个区域分布有至少一个栅氧膜量测位置;提供用于加热晶圆的卤素灯及多个控温探针;得到每个控温探针对应极坐标的半径值,并根据其半径值得到每个控温探针所对应的区域;提供标准厚度,并得到标准厚度下栅氧膜所需要的温度值,计算每个区域对应的栅氧膜平均厚度,然后计算与每个区域对应的栅氧膜需要调节的温度值。通过对应极坐标和测温探针物理位置,精确地计算温度补偿,能够有效地提升晶圆栅氧膜厚均匀度。
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