本发明提供一种光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法，种光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法，包括：提供一具有非有源区和有源区的衬底，使有源区上表面暴露，并使非有源区覆盖光刻胶；使有源区上表面氧化，形成自然氧化层；将自然氧化层氮化形成第一钝化层，用于抑制自然氧化层的生长；提供等离子体，用等离子体去除光刻胶；去除所述光刻胶后，所述第一钝化层成为第二钝化层。该方法阻止有源区深度氧化，保证有源区的氧化物厚度的均一性，从而提高器件的均一性。