形成集成电路的一部分的方法包含：形成具有开口且暴露半导体材料的表面的经图案化掩模；穿过所述开口在所述半导体材料的第一层级处形成第一经掺杂区域；及各向同性地移除所述经图案化掩模的一部分以增加所述开口的宽度。所述方法进一步包含：在各向同性地移除所述经图案化掩模的所述部分之后穿过所述开口在所述半导体区域的第二层级处形成第二经掺杂区域，其中所述第二层级比所述第一层级更靠近于所述半导体材料的所述表面。