本申请公开了一种MEMS器件。该MEMS器件包括：第一衬底；牺牲层，位于第一衬底上；质量块，位于牺牲层上；第一凹槽，位于质量块中；空腔，经由第一凹槽暴露第一衬底的表面；第一键合区，位于质量块上；以及保护膜，覆盖第一凹槽的侧壁、质量块与第一衬底相对的表面以及第一衬底的表面。该MEMS器件通过位于第一凹槽的侧壁的保护膜、位于质量块与第一衬底相对的表面的保护膜以及位于第一衬底表面的保护膜降低了MEMS器件摩擦系数，而第一键合区上不存在保护膜，使MEMS器件的第一键合区可以更好地与其它结构键合，从而达到了提高晶圆级封装质量的目的。