本发明实施例公开了一种内存测试拉偏内存供电电压的电路，包含：电源集成电路、电源集成电路输出引脚通过电感输出为内存供电电压端，电源集成电路反馈电压引脚通过第一电阻与内存供电电压端连接，电源集成电路反馈电压引脚通过第二电阻与地端连接；地端通过电容与内存供电电压端连接，第二电阻两端并联可变电阻。本发明实施例能通过调整可变电阻的阻值实现内存VDD电压的拉偏，解决目前测试中内存VDD电压拉偏只能依赖于通过修改BIOS实现的现状。