本发明公开了一种半导体器件接触孔开路检测结构，在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。本发明还提供了一种半导体器件接触孔开路检测方法。本发明在半导体器件/半导体器件阵列多晶硅栅两侧设计公共接触孔，在电子束检测仪扫描时电子束流过接触孔然后通过公共接触孔流到硅衬底，连接正常接触孔显示为明域，连接开路接触孔显示为暗域。本发明可以通过电子束检测仪准确定位接触孔开路位置。