本发明公开一种欠压保护电路，属于集成电路技术领域。所述欠压保护电路包括电阻R1～R5、NMOS管MN1～MN3、PMOS管MP1和MP2、反相器INV1和INV2，通过对NMOS管MN1与NMOS管MN2设置不同的宽长比，以及引入源端负反馈电阻的方式，使得NMOS管MN1和NMOS管MN2中的电流随电源电压VDD具有不同的上升速度和初始值，从而使电路欠压保护阈值VTrip由器件本身参数决定，无需带隙基准电路或齐纳二极管以产生参考电压VREF，因此具有低功耗、结构简单和精确度高等优点。