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专利名称光产生器及使用其制造集成电路装置的方法
申请日2018-12-26
申请号/专利号CN201811597573.1
专利权人三星电子株式会社
申请人三星电子株式会社
发明人/设计人田炳焕
公告日2019-11-26
公告号CN110501879A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

提供了一种包括残余物屏蔽组件的光产生器及使用其制造集成电路装置的方法,所述光产生器包括:室,具有等离子体产生空间;光学元件,位于室中;以及残余物屏蔽组件,在室中位于光学元件与等离子体产生空间之间,残余物屏蔽组件包括保护膜和保护框架,保护膜覆盖光学元件并与光学元件分隔开,保护膜与光学元件之间具有保护空间,保护空间包括光路,保护框架支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。
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