本发明公开了一种实现混合键合的方法，包括以下步骤：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在晶圆的表面沉积一层介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；在图形结构中填充金属，形成金属层图形；对晶圆表面进行平坦化处理，使介质层与金属层表面齐平；对晶圆进行氧化处理，使得金属层表面被氧化，而形成金属氧化物层；去除金属氧化物层，相应地在金属层位置形成低于介质层的高度差；执行对两片晶圆的混合键合。本发明完全避开了CMP方法对介质层粗糙度高要求的不利影响，有效克服了CMP方法引入的刮伤，以及研磨液残留导致缺陷及良率低的问题；采用化学氧化方法形成金属氧化物，实验简单可控，利用酸处理洗去金属氧化物，简单可行。