本发明公开了一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法，属于集成电路制造技术领域。通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后，增加“加热”步骤，对整个腔体环境进行改善；所述“加热”步骤为提高CVD设备腔体环境温度。本发明适用于采用等离子体沉积介质薄膜工艺，通过工艺的优化和改进可以明显消除等离子体化学气相淀积系统的首片效应。本发明效率高，节省成本，可以有效地消除CVD设备淀积薄膜的首片效应，有利于提高工艺的稳定性和片间厚度均匀性。