本发明公开一种抗电迁移的金属层结构及其工艺方法，属于集成电路制造技术领域。所述抗电迁移的金属层结构是针对后端制造中任意一层金属层做的抗电迁移结构设计，包括两个铝层，所述两个铝层之间淀积有中心TiN层。本发明还提供了抗电迁移的金属层结构的工艺方法：淀积第一铝层；在所述第一铝层上淀积中心TiN层；在所述中心TiN层上淀积第二铝层。一方面，铝层较薄的厚度有助于限制住大颗粒晶粒的边界扩散；另一方面，由于在高温下铝层中微量的Si成分容易析出，易于铝层电迁移的发生，TiN层可以阻挡Si和AL的互相渗透。