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| 专利名称 | 进行用于FINFET半导体装置的鳍片切口蚀刻程序的方法 |
| 申请日 | 2018-12-24 |
| 申请号/专利号 | CN201811580409.X |
| 专利权人 | 格芯公司 |
| 申请人 | 格芯公司 |
| 发明人/设计人 | 庄磊;巴拉沙巴马尼恩·波拉纳斯哈拉恩;拉尔斯·赖柏曼;谢瑞龙;泰瑞斯·霍克 |
| 公告日 | 2019-08-27 |
| 公告号 | CN110176431A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
本发明涉及进行用于FINFET半导体装置的鳍片切口蚀刻程序的方法，在用于制作集成电路的自对准鳍片切口程序中，使用牺牲栅极或外延形成的源极/漏极区作为蚀刻掩模，搭配鳍片切口蚀刻步骤，以移除所述鳍片不希望的部分。该程序不需要使用经光刻界定的蚀刻掩模也能将所述鳍片切割，使鳍片切口能够精确且准确对准。
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